原理
導(dǎo)波雷達(dá)發(fā)出的高頻微波脈沖沿著探測(cè)組件（鋼纜或鋼棒）傳播，遇到被測(cè)介質(zhì)，由于介電常數(shù)突變，引起反射，一部分脈沖能量被反射回來。發(fā)射脈沖與反射脈沖的時(shí)間間隔與被測(cè)介質(zhì)的距離成正比。
容器中存在兩種不同介質(zhì)，當(dāng)上面一層的介質(zhì)介電常數(shù)較小，而下面的介質(zhì)介電常數(shù)較大時(shí)，高頻微脈沖沿著探測(cè)組件傳播遇到上層介質(zhì)時(shí)，由于其介電常數(shù)較小，因而有極少的能量被這一層介面反射，而大部分能量穿透上層介質(zhì)繼續(xù)向下傳播，遇到兩層的介面時(shí)，由于下層介質(zhì)的介電常數(shù)較大，因而會(huì)有較大的能量被反射回來。因而導(dǎo)波雷達(dá)是可以測(cè)量?jī)煞N不同介質(zhì)的介面，其測(cè)量條件是上層介質(zhì)不導(dǎo)電或其介電常數(shù)比下層介質(zhì)介電常數(shù)小10以上。
特點(diǎn)
由于采用了*的微處理器和*的EchoDiscovery回波處理技術(shù)，導(dǎo)波雷達(dá)物位計(jì)可以應(yīng)用于各種復(fù)雜工況。
多種過程連接方式及探測(cè)組件的型式，使得GJMD5系列導(dǎo)波雷達(dá)物位計(jì)適于各種復(fù)雜工況及應(yīng)用場(chǎng)合。如：高溫、高壓及小介電常數(shù)介質(zhì)等。
采用脈沖工作方式，導(dǎo)波雷達(dá)物位計(jì)發(fā)射功率極低，可安裝于各種金屬、非金屬容器內(nèi)，對(duì)人體及環(huán)境均無傷害。
| 型號(hào) | GJMD50 | GJMD51 | GJMD52 | GJMD53 |
| 應(yīng)用場(chǎng)合 | 帶揮發(fā)性物質(zhì)或蒸汽的環(huán)境下的液體測(cè)量 | 能適應(yīng)小量程，多蒸汽，小介電常數(shù)介質(zhì)的測(cè)量 | 液體測(cè)量，高溫高壓工況 | 小介電常數(shù)液體及固體測(cè)量 |
| 測(cè)量范圍 | 30m | 6m | 30m | 30m |
| 測(cè)量精度 | ±10mm | ±10mm | ±10mm | ±10mm |
| 過程溫度 | （-40～200）℃ | （-40～200）℃ | （-40～400）℃ | （-40～200）℃ |
| 過程壓力 | （-0.1～4 ) MPa | （-0.1～4 ) MPa | （-0.1～4 ) MPa | （-0.1～4 ) MPa |
| 頻率范圍 | 100MHZ-1.8GHZ | 100MHZ-1.8GHZ | 100MHZ-1.8GHZ | 100MHZ-1.8GHZ |
| 信號(hào)輸出 | ( 4～20 ) mA / HART | ( 4～20 ) mA / HART | ( 4～20 ) mA / HART | ( 4～20 ) mA / HART |
| 供電方式 | 兩線制（DC24V) 四線制（DC24V / AC220V ) | |||
| 現(xiàn)場(chǎng)顯示 | 可選 | 可選 | 可選 | 可選 |
| 殼體 | 鑄鋁、不銹鋼 | 鑄鋁、不銹鋼 | 鑄鋁、不銹鋼 | 鑄鋁、不銹鋼 |
| 鋼纜/棒直徑 | Φ4mm、Φ6mm、Φ10mm | |||
| 探測(cè)組件材料 | 不銹鋼、PTFE 、陶瓷 | |||
| 過程連接 | 螺紋G1?A、G2A、1?NPT | |||
| 防爆等級(jí) | 標(biāo)準(zhǔn)型（非防爆）、本安型（Exia IIC T6）、本安型+隔爆型（Exd [ia]ia IIC T6） | |||
| 其他選配 | ||||
