AZ光刻膠刻蝕厚度從1μm到150μm以及更厚。
AZ光刻膠特點：
適用于高分辨率工藝（lift-off工藝）
適用于正/負圖形
很寬的膜厚范圍
AZ光刻膠工藝條件：
前烘：100℃ 60秒 (DHP)
曝光：1線步進式曝光機/接觸式曝光機
反轉烘烤：110~125℃ 90秒（DHP）：去離子水30秒
全面曝光：310~405nm(在曝光光源下全面照射)
顯影：AZ300MIF顯影液 (2.38%) 23℃ 30~60秒 Puddle
AZ Developer(1:1)23℃ 60秒Dipping
AZ 400K(1:4)23℃ 60秒Dipping
清洗：去離子水30秒
后烘：120℃ 120秒（DHP）
剝離：AZ剝離液及/或氧等離子體灰化
AZ光刻膠刻蝕厚度從1μm到150μm以及更厚。高感光度,高產出率；高附著性,特別為濕法刻蝕工藝改進；廣泛應用于半導體行業。
光刻膠產品型號及參數
| 光刻膠名稱 | 型號 | 勻膠厚度 |
| Merck AZ 正/負可轉換型光刻膠 | AZ 5214 | 0.5-6um |
| AZ 50XT 正膠 | AZ 50XT | 40-80um |
| AZ 9260 正膠 | AZ 9260 | 6.2-15um |
| AZ 4620 光刻膠 | AZ 4620 | 10-15um |
| MicroChem SU-8 負膠 | SU-8 2015 | 13-38um |
| MicroChem SU-8 負膠 | SU-8 2050 | 40-170um |
| MicroChem SU-8 負膠 | SU-8 2075 | 60-240um |
| MicroChem SU-8 負膠 | SU-8 2150 | 190-650um |
| MicroChem SU-8 負膠 | SU-8 3010 | 8-15um |
| MicroChem SU-8 負膠 | SU-8 3050 | 44-100um |
AZ光刻膠其他參數及說明：
標簽: 光刻膠
