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功率器件晶閘管全動態(tài)測試系統(tǒng)半導體測試

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西安智盈電氣科技有限公司成立于2019年,公司地處西安市西咸新區(qū)秦創(chuàng)園國家gaoxinjishu開發(fā)區(qū),本公司是一家集科研開發(fā),生產(chǎn)經(jīng)營,技術(shù)服務為一體具有自主知識產(chǎn)權(quán)的gaoxinjishuqiye。公司技術(shù)工藝*,檢測手段完善,擁有一批長期從事電力電子技術(shù),自動控制系統(tǒng)與應用,感應加熱技術(shù),微電子技術(shù)基礎(chǔ)建設(shè)等研究開發(fā)的gaoji工程師和技術(shù)人才,實力雄厚,多項產(chǎn)品在行業(yè)中處于一定地位。已通過ISO9001質(zhì)量管理體系認證,產(chǎn)品廣泛應用于半導體器件研發(fā),電力,鐵路交通,新能源汽車,石油,化工,環(huán)保電子等行業(yè),公司生產(chǎn)的主要產(chǎn)品有功率半導體器件及組件的檢測設(shè)備及工藝設(shè)備等。公司還致力于發(fā)展系統(tǒng)工程,程序控制。新能源開發(fā)及應用等新技術(shù)產(chǎn)業(yè),公司具有較強的技術(shù)開發(fā)能力,可根據(jù)用戶和市場的需求,提供技術(shù)方案,技術(shù)咨詢,專業(yè)培訓與服務,奉行技術(shù)創(chuàng)新,誠信服務愿與國內(nèi)外同行及用戶真誠合作共同進入高科技的新時代。

通過我們自己研發(fā)的各種產(chǎn)品,比如像半導體器件測試儀,加快了半導體各類材料、半導體器件和*工藝的開發(fā),完成制程控制、可靠性分析和故障分析;諸如IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),它們可以滿足對IGBT的大電流、高電壓的測試要求,是檢測半導體器件的關(guān)鍵設(shè)備;還有像雪崩能量測試儀、晶閘管電參數(shù)測試儀、二極管電參數(shù)測試儀、功率模塊可靠性測試儀、模塊高溫阻斷試驗設(shè)備等產(chǎn)品,做的也是相當?shù)某霾剩@就是我對我們的產(chǎn)品十分的有信心,這就是我們團隊所有的力量。質(zhì)量是企業(yè)長遠生存的根基,是企業(yè)競爭的免死jinpai,質(zhì)量在心中,責任在肩上,誠信在言行中,相信我們國標標準,控在品質(zhì)!

多年來,公司與時俱進,產(chǎn)品銷往全國各地,據(jù)不wanquan統(tǒng)計,有深圳華為技術(shù)有限公司、蘇州華為技術(shù)有限公司、深圳比亞迪股份有限公司、深圳華科智源科技有限公司、廣東慧核工業(yè)器材有限公司、安徽長飛*半導體有限公司、天津中科方德科技有限公司、江蘇揚杰半導體有限公司、新飛宇電子科技有限公司、揚州國宇電子有限公司、國網(wǎng)電力科學研究院有限公司、大連東芝電力機車、清華大學、南京大學、華北電力大學等一些國有大型企業(yè)與之合作,經(jīng)過我們的不時努力和追求,也博得了眾多企業(yè)的認可和好評。追求yongbu停步,創(chuàng)新永無止境,為取得長足發(fā)展,公司會以優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品、前沿的技術(shù)和周到的服務來回饋用戶,為社會的科技進步作出貢獻!

測試設(shè)備:針對IGBT的靜態(tài)參數(shù)而研發(fā)的智能測試系統(tǒng),自動快速測試可以滿足用戶大生產(chǎn)需要,故障率低,也保證了用戶的生產(chǎn)效率,使用簡潔方便。

本實用新型公開了一種自動壓力機夾具,包括水平設(shè)置在壓力機上的多對夾臂,在所述每對夾臂相對的夾持面上均設(shè)置有橡膠墊.本實用新型優(yōu)點在于將夾臂的夾持面上設(shè)置有橡膠墊,這樣當夾具夾持耐火磚時由于有橡膠墊的緩沖,不僅能夠方便的夾取磚體,而且對耐火磚起到一定的保護作用,有效防止了耐火磚夾裂或夾破,減少了耐火磚的破損率.

核心業(yè)務為半導體功率器件測試設(shè)主要有:

MOSFET參數(shù)測試設(shè)備:

靜態(tài)參數(shù)測試(包括IGSS / BVR / VDSSat / IDSS / VGSTH / VF / RDSon));動態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復/短路/安全工作區(qū))測試(包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等);雪崩能力測試,老化及可靠性測試(HTRB / HTGB)。

IGBT參數(shù)測試設(shè)備:

靜態(tài)參數(shù)測試(包括IGE / VGE(th) / VCEsat / VF / ICE / VCE);動態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復/短路/安全工作區(qū))測試(包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等);老化及可靠性測試(HTRB / HTGB)。

二極管及可控硅/晶閘管(SCR)參數(shù)測試設(shè)備:

靜態(tài)參數(shù)測試(包括IGT/VGT / IH / VTM / VD/ID / VR/IR / dv/dt / IL );動態(tài)參數(shù)測試(Turn_on&off / Qrr_FRD);浪涌參數(shù)測試ITSMdi/dt測試;老化及可靠性測試(高溫阻斷);熱阻參數(shù)測試Rth

產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢,將廣泛應用于IDM廠商、器件設(shè)計、制造、封裝廠商及高校研究所等。





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功率器件晶閘管全動態(tài)測試系統(tǒng)半導體測試的基本原理是在一個工頻半周內(nèi)對被測元件施加半波電流,電流的平均值由元件的額定電流值決定,而在另一個半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓,測量它的動態(tài)阻斷伏安特性,它模擬了元件在整流電路中的工作情況。
全動態(tài)測試法是對元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測試,已被國內(nèi)廣大用戶所接受。
功率器件晶閘管全動態(tài)測試系統(tǒng)半導體測試 產(chǎn)品詳情

功率器件晶閘管全動態(tài)測試系統(tǒng)半導體測試1適用范圍:

本電源適用于300A以下的模塊型整流二極管及模塊型晶閘管的性能考核。本實驗臺的測試方法參照原行業(yè)全動態(tài)測試方法。
2動態(tài)測試的技術(shù)指標:
1)平均電流ITAV:
低檔:約20—50A 精度±5% 分辨率1A
高檔: 約50—300A 精度±5% 分辨率1A
指針表顯示
電流波形為近似正選半波,導通角170°左右
阻斷電壓波形為底寬10mS的正弦半波
電流調(diào)節(jié):手動調(diào)壓器
2)平均壓降:VTAV=0.1—2.5V
精度±3% 分辨率0.01 V
指針表顯示
3)正反向不重復峰值電壓:200—3000V
精度±5% 分辨率10V
4)正反向峰值漏電流IDRM、IRRM:0.1-20 mA
精度±3%,分辨率0.01
保護漏電流1-20 mA
峰值阻斷電壓、電流為數(shù)字表顯示
阻斷電壓為手動調(diào)節(jié)
5)測試頻率:50HZ
6)伏安特性具有過流保護及過流指示。
7)電源主電路開關(guān)器件采用水冷卻,***動態(tài)考核的準確性。
8)連接被測方式:手動連接

















































































































































































































































































































































































































關(guān)鍵詞:實驗臺 整流二極管
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產(chǎn)品名稱參考價地區(qū)公司名稱更新時間 
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