美Nano-master ALD/PEALD原子層沉積系統：
NLD-4000 獨立式ALD系統
NLD-3500 緊湊型獨立式ALD系統
NLD-3000 臺式ALD系統
NLD-4000是一款獨立式計算機控制的ALD系統，全自動工藝控制并包含完整的安全連鎖功能，能夠沉積半導體應用中的氧化物和氮化物（比如AlN, GaN, TaN, TiN, Al2O3, ZrO2, LaO2, HfO2），支持太陽能和MEMS等眾多領域的應用。
系統包含一個13”的鋁質反應腔體，具有加熱腔壁和氣動升降頂蓋，可一鍵式實現頂蓋的開啟/閉合，便于放取片。隨系統配套手套箱，可以支持最多七路加熱或冷卻的50cc容器用于前驅體或者反應物，并集成了快速脈沖傳輸閥用于氣體脈沖輸出。沒有反應掉的前驅體將被加熱過濾器所捕捉，該過濾器安裝在腔體排風口。
工藝程序、溫度設定值、氣體流量、抽真空卸真空工序，以及傳輸管路的吹掃均通過LabView軟件全自動控制。
選配項包含自動上下片（系統占地面積不變）、遠程平面ICP等離子源用于等離子增強ALD（平面ICP的構造確保小的反應腔體容積，這實現更快的循環時間），以及渦輪分子泵用于更低的極限真空。
特點：
** 低于1Å的均勻度
** 優化的13”陽極氧化鋁腔體
** 小反應腔體容積確保快速的循環時間并提高產能
** 可支持8”的基片
** 400°C基片加熱器
** 隨系統配套前驅體手套箱
** 做多支持七路50cc前驅體容器
** 300L/Sec抽速的磁懸浮分子泵組
** 極限真空可達5x10-7Torr
** 快速脈沖氣體傳輸閥
** 大面積過濾器用于捕捉未反應的前驅體
** 高深寬比結構的涂覆
** 全自動計算機控制，菜單驅動
** LabVIEW友好用戶界面
** EMO和安全互鎖
** 占地面積僅24”x44”帶封閉面板的柜體對超凈間很理想
選配：
** 下游式平面ICP遠程等離子源用于PE-ALD工藝
** RF離子源用于無需要求超高密度的PE-ALD工藝
** 自動上下片
** 增加額外的前驅體
應用：
** 高K介質
** 疏水性涂覆
** 鈍化層
** 高深寬比擴散阻擋層的銅連接
** 微流控應用的保形性涂覆
** 燃料電池中諸如催化層的單金屬涂覆
