GMR 技術(shù)在單個(gè)硅集成電路上集成了高靈敏度 MR(磁阻)傳感器元件和高精度 BiCMOS 電路,可提供高精度、低磁場(chǎng)操作
采用單包覆微型封裝的集成電容器提供更好的 EMC 穩(wěn)定性
SolidSpeed 數(shù)字架構(gòu)™支持高級(jí)數(shù)字處理,可以在出現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)干擾的情況下提供高度精確的邊緣性能
兼容方向,方便更換霍爾傳感器
雙線電流源輸出,支持速度協(xié)議
EEPROM 在整個(gè)生產(chǎn)過程中提供器件的可追溯性