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武漢普賽斯儀表有限公司
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功率半導體器件IGBT測試難點及常見測試指標有哪些?2025/7/4
新能源汽車受800V驅動,以主逆變為代表的SiC滲透全面提速,貢獻最大下游市場并帶動充電樁、光儲及UPS市場逐步增長。碳化硅器件當前以電壓等級600-1700V,功率等級10kW-1MW的硅基IGBT...
高電壓大電流igbt靜態參數測試系統解決方案2025/6/10
為應對各行各業對IGBT的測試需求,武漢普賽斯正向設計、精益打造了一款高精密電壓-電流的IGBT靜態參數測試系統,可提供IV、CV、跨導等豐富功能的綜合測試,具有高精度、寬測量范圍、模塊化設計、輕松升...
國產數字源表搭建鈣鈦礦電池片IV測試系統方案2025/3/12
作為新一代太陽能電池,鈣鈦礦太陽能電池在光伏領域展現出巨大的潛力。目前,鈣鈦礦電池正處在從實驗室走向產業化的初期,由于其材料特性的影響,產業化I-V測試面臨著巨大的挑戰,傳統的測試方案存在明顯局限。測...
如有用SMU數字源表搭建霍爾效應測試系統測半導體材料2025/3/5
霍爾效應測試霍爾效應是一種電磁感應現象,當電流垂直于外磁場通過半導體時,載流子發生偏轉,垂直于電流和磁場的方向會產生一附加電場,如下圖所示。霍爾效應測試中我們一般測試霍爾電壓VH、電阻率ρ、霍爾系數R...
細數數字源表在光伏行業的應用2025/3/4
一、太陽能電池測試常見測試項:開路電壓(Voc)、短路電流(ISC)、峰值功率(Pmax)、峰值電壓(Vmax)、峰值電流(Imax)、填充因子(FF)、轉換效率(n)。二、常見測試需求及方案:1、光...
SMU數字源表搭建晶圓級微電子材料器件測試系統2024/12/24
在半導體材料和器件的研究中,電性能測試是不可少的環節。隨著半導體技術的提升,微電子工藝逐漸復雜,如何對微電子材料器件進行高效率測試成為業內關注的重點。普賽斯儀表陸續推出多型號國產化數字源表SMU,為進...
數字源表選購技巧2024/12/18
數字源表也稱為源測量單元(SMU),集數字萬用表、電壓源、電流源、電子負載以及脈沖發生器、波形發生器等功能于一體,同時可精確限流保護器件不受損壞。在功率半導體測試,光電子器件研究、晶體管檢定等方面被廣...
SiC GaN三代半功率器件測試挑戰及應對測試方案2024/11/21
功率半導體應用現狀隨著新能源汽車800V高壓快充技術的興起,SiC憑借其高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率以及高鍵合能等一系列顯著優勢,成為功率半導體產業競相追逐的“風口”。在實際應用中,搭載碳...
SMU源表與探針臺連接示意圖及注意事項有哪些?2024/10/30
1、前言在半導體和集成電路工藝中,材料、晶圓、芯片的測試是不可少的環節。隨著半導體測試技術的發展,數字源表SMU結合探針臺的系統組合已經被廣泛應用于材料/微小器件的電學特性驗證中。數字源表SMU具備源...
脈沖電流源測試旁路二極管熱性能方案2024/9/13
熱斑效應:太陽能電池一般是由多塊電池組件串聯或并聯起來。串聯支路中可能由于電池片內部缺陷或者外部遮擋,將被當作負載消耗其他有光照的太陽電池組件所產生的能量。被遮蔽的太陽電池組件此時會嚴重發熱而受損。旁...
SiC|IGBT功率器件應用發展及其測試解決方案2024/8/23
SiC/IGBT功率器件應用發展IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉換的核心器件,是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,具有高輸入...
基于數字源表的柔性材料形變測試方案2024/7/25
柔性材料使用過程中形態的反復變化將影響材料的電學性能及壽命。形變測試是柔性材料性能表征的重要手段。測試面臨的挑戰依賴手動測試,缺乏標準化的測試系統缺少軟件,難以實時監測I-V的變化曲線普賽斯提供標準化...
數字源表測試導電水凝膠方案2024/7/22
導電水凝膠將親水性基質和導電介質有機結合起來,是一類兼具良好的可加工性、較高柔韌性和優異電化學性能的新型復合水凝膠,是未來柔性電子器件的理想材料。水凝膠電導率測試常用四探針法進行測試,優勢在于分離電流...
SMU源表搭建MOS電容CV特性測試實驗平臺2024/5/29
本科生微電子器件及材料實驗目的通過實驗動手操作,加深對半導體物理理論知識的理解,掌握半導體材料和不同器件性能的表征方法及基本實驗技能,培養分析問題和解決問題的能力。本科生微電子器件及材料實驗目錄實驗一...
功率半導體器測試挑戰及應對方案詳解2024/5/10
功率半導體是電子產業鏈中最核心的一類器件,能夠實現電能轉換和電路控制作用。功率半導體包括功率半導體分立器件(含模塊)以及功率IC等。其中,功率半導體分立器件按照器件結構可分為二極管、晶閘管和晶體管等。...

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