在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓需經(jīng)受嚴(yán)苛的溫變沖擊與老化測(cè)試以確保性能穩(wěn)定，但傳統(tǒng)串行測(cè)試方式耗時(shí)久、效率低。借助冷熱沖擊試驗(yàn)箱進(jìn)行并行測(cè)試，可顯著提升測(cè)試效率，其核心在于設(shè)備功能升級(jí)與測(cè)試流程優(yōu)化。
測(cè)試流程優(yōu)化上，采用 “溫變 - 老化 - 再溫變" 的循環(huán)模式。晶圓先在高溫區(qū)（如 125℃）進(jìn)行 4 小時(shí)老化測(cè)試，同步監(jiān)測(cè)其電性能參數(shù)；隨后快速切換至低溫區(qū)（-40℃）進(jìn)行 30 分鐘溫變沖擊；再返回高溫區(qū)繼續(xù)老化。通過(guò)這種循環(huán)，在 72 小時(shí)內(nèi)即可完成傳統(tǒng)流程下需 74 小時(shí)以上的測(cè)試任務(wù)，效率提升約 15%。
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