半導(dǎo)體芯片經(jīng)冷熱沖擊試驗(yàn)箱測(cè)試后，在實(shí)際高低溫環(huán)境中仍出現(xiàn)焊點(diǎn)開裂，嚴(yán)重影響芯片可靠性。這一問題需從材料特性、工藝缺陷及測(cè)試局限性等多維度剖析原因，并制定針對(duì)性解決方案。
針對(duì)上述問題，可從以下方面實(shí)施解決方案。材料選擇上，優(yōu)先采用 CTE 與芯片、基板匹配的焊料，如含銀、鉍的無鉛焊料，其 CTE 可控制在 8 - 12 ppm/℃；同時(shí)，嚴(yán)格把控焊料純度，雜質(zhì)含量需低于 0.1%。工藝優(yōu)化方面，通過仿真模擬確定焊接溫度曲線，如回流焊時(shí)將峰值溫度控制在焊料熔點(diǎn)以上 30 - 50℃，升溫速率設(shè)定為 1 - 3℃/s；引入 X 射線檢測(cè)、超聲掃描等非破壞性檢測(cè)手段，在焊接后及時(shí)排查內(nèi)部缺陷。
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