活塞環(huán)的表面電鍍一直是使用較多的一種工藝，我廠生產(chǎn)的高頻開關(guān)電源和分級式可控硅移相觸發(fā)器在全國各行業(yè)電鍍中有廣泛的應(yīng)用，針對一些技術(shù)問題談幾點注意事項。

1 關(guān)于功率因素問題

可控硅移相觸發(fā)器分級式是9級$11型，這種整流變壓器經(jīng)過分級，可大大提高功率因素，功率因素達(dá)到0．93以上。我廠在2002年就成功開發(fā)了S11型分級式可控硅恒壓恒流整流器KHB3，空載電流三相為1．，這種可控硅恒壓恒流整流器KHB3特點是：溫升低，噪音小，功率因素高，紋波系數(shù)為2％。而高頻開關(guān)電源是由IGBT鐵氧體，逆變電路制成的一種電源，我廠早在1997年就為廣西中環(huán)公司配套了一臺電流為2500A，電壓為0～12V的開關(guān)電源，當(dāng)時實際使用中，把開關(guān)電源升到電流2300A。電壓為10．5V。同時廣西中環(huán)公司也有我廠4臺ZDDKF一2500A0～12V可控硅移相觸發(fā)器。

其電流電壓和開關(guān)電源同等條件下，在實際使用了近5個小時，結(jié)果明顯發(fā)現(xiàn)。高頻開關(guān)電源可比4臺2500A可控硅移相觸發(fā)器節(jié)電5％，但開關(guān)電源的沉積速度慢，活塞環(huán)表面硬度也沒有可控硅移相觸發(fā)器高，開關(guān)電源硬度為800～900HB。而用ZDDKF2500A可控硅移相觸發(fā)器環(huán)表面硬度可達(dá)11o0HB。后來，廣西中環(huán)公司還是選用了ZDDKF帶分級式節(jié)能可控硅恒壓恒流整流器KHB3。

開關(guān)電源和分級式可控硅恒壓恒流整流器KHB3對比，開關(guān)電源在2000A12V它的總功率和可控硅移相觸發(fā)器2000A電流時基本一樣的。功率因素差不了多少，耗電量也相等。

2 選擇與對比

在同等條件下，高頻開關(guān)電源比可控硅分級式可控硅恒壓恒流整流器KHB3節(jié)電5％。但開關(guān)電源的電源沉積速度慢，活塞環(huán)表面硬度也沒有可控硅移相觸發(fā)器硬度高。國內(nèi)人士推薦使用可控硅移相觸發(fā)器，中國臺灣創(chuàng)林公司活塞環(huán)廠家也在使用可控硅移相觸發(fā)器，德國活塞環(huán)廠家，也是使用可控硅換向可控硅恒壓恒流整流器KHB3。德國專家講使用開關(guān)電源電鍍工藝一般用在仿金工藝、貴金屬、鐘表業(yè)電鍍中。可見對于活塞環(huán)電鍍應(yīng)選用可控硅移相觸發(fā)器。

3 使用換向可控硅恒壓恒流整流器KHB3

要想把活塞環(huán)表面做好，應(yīng)該選用換向可控硅恒壓恒流整流器KHB3，操作工藝如下：剛開始把工件放到電鍍槽里，這時先用反向電流。在幾秒內(nèi)用大電流沖擊一下，把活塞環(huán)表面的雜質(zhì)剝離掉，通過15～20秒大電流沖擊，活塞環(huán)的表面層質(zhì)量效果提高，再把反向電流回到一定額定值，再工作幾秒后，反向電流回零，通過軟起動10——20秒后再使用正向電流，這種工藝效果好。在電源整流方面，我廠有豐富的經(jīng)驗，并配有各種產(chǎn)品。我們可以根據(jù)行業(yè)的生產(chǎn)需要幫助用戶科學(xué)的設(shè)計，合理的使用整流電源，使其、節(jié)能、經(jīng)濟的在生產(chǎn)中發(fā)揮作用。