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普賽斯IGBT測(cè)試設(shè)備+igbt測(cè)試儀，集多種測(cè)量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)...

通常半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí)，還占用過(guò)多測(cè)試臺(tái)的空間。實(shí)施特性參數(shù)分析的工具之一是數(shù)字源表（SMU）。普賽斯歷時(shí)多年打造了高...

通常半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí)，還占用過(guò)多測(cè)試臺(tái)的空間。實(shí)施特性參數(shù)分析的工具之一是半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀之?dāng)?shù)字源表（SMU）。普賽...

半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件（DUT）施加電壓或電流，然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng)；通常半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí)，還...

普賽斯半導(dǎo)體參數(shù)分析儀支持高電壓+大電流集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下納安級(jí)測(cè)...

半導(dǎo)體分立器件主要包括二極管(Diode)、三極管(BJT)、晶閘管(SCR)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)等產(chǎn)品,半導(dǎo)體分立器...

直流3A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀就找普賽斯儀表，S系列源表是普賽斯歷時(shí)多年打造的高精度、大動(dòng)態(tài)范圍、數(shù)字觸摸的帥先國(guó)產(chǎn)化的源表，集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，Z...

半導(dǎo)體特性曲線分析儀找武漢普賽斯儀表，普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高...

半導(dǎo)體器件特性曲線掃描儀認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，普賽斯儀表專注于半導(dǎo)體電性能測(cè)試領(lǐng)域，基于高精度數(shù)字源表綜合實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，可提供多種實(shí)驗(yàn)測(cè)量環(huán)境，搭配豐富的測(cè)試...

半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀+IV曲線掃描認(rèn)準(zhǔn)武漢普賽斯儀表，普賽斯是國(guó)內(nèi)生產(chǎn)源表的廠家，產(chǎn)品系列豐富：產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍，產(chǎn)品已經(jīng)過(guò)了市場(chǎng)的考驗(yàn)、市面有近5...

IGBT靜態(tài)參數(shù)主要包含:柵極-發(fā)射極閾值電壓VGE(th)、柵極-發(fā)射極漏電流lGEs、集電極-發(fā)射極截止電流lcEs、集電極-發(fā)射極飽和電壓VcE(sat)...

普賽斯半導(dǎo)體功率器件分析儀集多種測(cè)量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參...

SiC|GaN第三代半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測(cè)試主機(jī)，內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測(cè)試軟件，可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要，設(shè)...

功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)3500V/4000A集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)3KV,電流...

大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。

功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可...

半導(dǎo)體材料IV掃描儀器儀表支持四象限工作，源和負(fù)載，電壓及電流范圍廣，電流100pA~1A，電壓0.3mV~300V，準(zhǔn)確度為0.1%；

IGBT模組動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀器具有輸出及測(cè)量電壓高（3000V）、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)（1nA）的特點(diǎn)。設(shè)備工作在D一象限，輸出及測(cè)量電壓0~3000V，輸出...

IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀器具有輸出及測(cè)量電壓高（3000V）、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)（1nA）的特點(diǎn)。設(shè)備工作在D一象限，輸出及測(cè)量電壓0~3000V，輸出...

微納器件電性能測(cè)試用數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，國(guó)產(chǎn)自主研發(fā)，*！性價(jià)比高，測(cè)試范圍更廣，輸出電壓高達(dá)300V，支持USB存儲(chǔ)，一鍵導(dǎo)出報(bào)告，符合大環(huán)境下國(guó)內(nèi)技術(shù)自...