抗干擾介質(zhì)損耗檢測儀

工作原理

儀器測量線路包括一路標(biāo)準(zhǔn)回路和一路測試回路，如圖三所示。

標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與標(biāo)準(zhǔn)電阻網(wǎng)絡(luò)組成，由計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)采集標(biāo)準(zhǔn)回路電流與測試回路的電流幅值及其相位差，并由之算出被測試品的電容容值（Cx）和其介質(zhì)損耗（tg）。

數(shù)據(jù)采集電路全部采用高穩(wěn)定度器件，采集板和采集計(jì)算機(jī)被鐵盒wan全浮空屏蔽，儀器的外殼接地屏蔽；另外使用了光導(dǎo)數(shù)據(jù)、浮空地、大面積地、單點(diǎn)地、數(shù)字濾波等抗干擾技術(shù)，加之計(jì)算機(jī)對數(shù)百個(gè)電網(wǎng)周期的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，故測量結(jié)果穩(wěn)定、精確、可靠。

由圖三可見，儀器高壓變壓器的高壓側(cè)和測量線路都是浮地的，用戶可根據(jù)不同的測量對象和測量需要，靈活地采用多種接線方式。如采用“正接線法"進(jìn)行測量時(shí)，可將“E"點(diǎn)接地；而當(dāng)采用“反接線法"進(jìn)行測量時(shí)，可將“UH"點(diǎn)接地，而將E點(diǎn)浮空。

圖中除測試品Cx外，其余為本儀器。細(xì)線框內(nèi)部分對儀器外殼能承受15KV工頻高壓5分鐘，額定耐壓10KV。儀器內(nèi)附標(biāo)準(zhǔn)電容CN，名義值為50PF，tgδ≤0.0001，耐壓10KV。高壓變壓器，額定輸出功率為1KVA。

★“E"點(diǎn)為儀器的內(nèi)屏蔽與測量電纜的屏蔽層相連，不是大地，與儀器的外殼也不連通！！！

抗干擾介質(zhì)損耗檢測儀

特點(diǎn)

1.超大液晶中文顯示

儀器配備了大屏幕（105mm×65mm）中文菜單界面，屏顯分為左右兩部分，左邊為功能菜單區(qū)，右邊為相關(guān)狀態(tài)信息提示，每一步都非常清楚，操作人員不需要專業(yè)培訓(xùn)就能使用。一次操作，微機(jī)自動(dòng)完成全過程的測量，是目前非常理想的介損測量設(shè)備。

2.海量存儲(chǔ)數(shù)據(jù)

儀器內(nèi)部配備有日歷芯片和大容量存儲(chǔ)器，能將檢測結(jié)果按時(shí)間順序保存，隨時(shí)可以查看歷史記錄，并可以打印輸出；

3.科學(xué)先進(jìn)的數(shù)據(jù)管理

儀器數(shù)據(jù)可以通過U盤導(dǎo)出，可在任意一臺(tái)PC機(jī)上通過我公司專用軟件，查看和管理數(shù)據(jù)并可生成工作報(bào)告。

4.多種測試模式

儀器能夠分別使用內(nèi)高壓、外高壓、內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)、外標(biāo)準(zhǔn)、正接法、反接法、自激法等多種方式測試；在外標(biāo)準(zhǔn)外高壓情況下可以做高電壓（大于10kV）介質(zhì)損耗。

5.CVT測試一步到位

該儀器還可以測試全密封的CVT（電容式電壓互感器）C1、C2的介損和電容量，實(shí)現(xiàn)了C1、C2的同時(shí)測試。該儀器還可以測試CVT變比和電壓角差。

6.高速采樣信號(hào)

儀器內(nèi)部的逆變器和采樣電路全部由數(shù)字化控制，輸出電壓連續(xù)可調(diào)。

7.多重保護(hù)安全可靠

儀器具備輸入電壓波動(dòng)、輸出短路、過壓、過流、溫度等多重保護(hù)措施，保證了儀器安全、可靠。儀器還具備接地檢測功能，確保不接地設(shè)備不允許升壓。

技術(shù)指標(biāo)

1、環(huán)境溫度：0~40℃（液晶屏應(yīng)避免長時(shí)日照）

2、相對濕度：30％~70％

3、供電電源：電壓：220V±10％，頻率50±1Hz

4、外形尺寸：長×寬×高=4900mm×300mm×390mm

5、重量：約18kg

6、輸出功率：1KVA

7、顯示分辨率：4位

8、測量范圍：

介質(zhì)損耗（tgδ）：0-50％

電容容量（Cx）和加載電壓：

2.5KV檔：≤300nF（300000pF）

3KV檔：≤200nF（200000pF）

5KV檔：≤ 76nF（ 76000pF）

7.5KV檔：≤ 34nF（ 34000pF）

10 KV檔：≤ 20nF（ 20000pF）

9、基本測量誤差：

介質(zhì)損耗(tgδ)：1％±0.07％（加載電流20μA~500mA）正接

介質(zhì)損耗(tgδ)：2％±0.09％（加載電流 5μA~ 20mA）反接

電容容量( Cx )：1.5%±1.5pF