北京中科科美科技股份有限公司
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該設備為高真空ITO箱式鍍膜設備，主要用于沉積AZO、GZO等系列透明導電膜，金屬薄膜，半導體薄膜等，也可用于其他功能性薄膜的沉積。
一、應用領域：
該設備為高真空ITO箱式鍍膜設備，主要用于沉積AZO、GZO等系列透明導電膜，金屬薄膜，半導體薄膜等，也可用于其他功能性薄膜的沉積。
1. 系統可實現ITO、AZO、GZO等系列透明導電膜的研究與工藝探索；
2. 可以完成單金屬、合金、多層膜的濺射沉積；
3. 可以完成氧化物、氮化物、碳化物等介質膜的反應濺射沉積；
4. 可以實現SiO2、Al2O3等絕緣材料的濺射沉積；
5. 可以進行含有上述多層膜的功能膜研究開發；
二、性能參數：
1、雙腔室結構（含工藝腔室及進出樣室）；
2、濺射樣品尺寸約450×250mm；
3、磁控濺射靶四支，其中兩支為孿生靶，控制電源為兩套直流電源和一套中頻電源；
4、配三路氣體及相應流量控制器；
5、配備軸向線性往復運動樣品臺；
6、在線膜厚檢測裝置；
7、加熱及溫控系統，保證腔室能夠加熱至500℃；
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