【儀表儀表網 儀表新品】5月24日，中國科學院條件保障與財務局組織專家對中國科學院寧波材料技術與工程研究所承擔的“面向半導體薄膜超高速、低溫外延的中壓等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)”和“微細球狀非晶粉末制備裝置”兩個院科研裝備項目進行了技術驗收和綜合驗收。
技術驗收會現場
現場查看研制儀器設備的運行情況
現場查看研制儀器設備的運行情況
兩個項目的技術驗收會于5月24日上午舉行，條件保障與財務局科技條件處工程師張紅松首先介紹了現場測試的具體要求，并宣布了專家組名單。技術測試專家組由6位專家組成，中科院半導體所謝亮研究員和中科院沈陽金屬所張海峰研究員分別擔任兩個項目技術驗收專家組組長。項目的技術測試大綱經專家組審議通過后，專家組分別在設備現場按照測試大綱逐項進行測試，將測試結果與項目任務書比對后，專家組一致認為兩套研制設備的技術指標均達到或優(yōu)于實施方案的要求，同意提交綜合驗收專家組驗收。
項目的總體驗收于5月24日下午舉行，張紅松介紹了總體驗收要求并宣布了專家組名單。專家組由8位專家組成，包括1位裝備研制項目專家、6位技術專家，1位財務專家，組長由中科院微電子所夏洋研究員擔任。專家組分別聽取了兩個項目工作匯報、使用報告、測試報告和財務報告。
“面向半導體薄膜超高速、低溫外延的中壓等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)”項目研制了一套中壓等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)，實現了硅材料的超高速、低溫外延生長；并且通過在線發(fā)射光譜和激光吸收光譜的實時檢測分析系統(tǒng)，實現了對中壓等離子體沉積過程的有效控制。利用該系統(tǒng)，項目組研究了氣體組分、沉積壓力、氫氣濃度等工藝參數與沉積薄膜性能之間的影響規(guī)律，為碳化硅、石墨烯等薄膜材料的低溫、快速生長提供了一個研究開發(fā)平臺。
“微細球狀非晶粉末制備裝置”項目研制出了一套微細球狀非晶粉末制備裝置，研究了熔體溫度、噴嘴直徑、回轉圓盤轉速等工藝條件對粉末粒徑、非晶度和氧含量的影響規(guī)律，開發(fā)了一套新型微細金屬粉末制備的新技術，實現了平均粒徑在10μm左右的高質量非晶粉末的制備。基于此裝備，項目組開展了微細非晶合金粉末的吸波性能研究，為采用新型非晶軟磁合金材料、設計和開發(fā)具有寬頻帶、強屏蔽效能的輕薄型磁屏蔽和吸波材料奠定了實驗基礎。
專家組現場查看了研制儀器設備的運行情況，審查了相關文件檔案和項目經費使用情況，經討論，專家組一致認為，兩個項目均完成了實施方案中規(guī)定的研究內容，各項技術指標達到要求，項目文件檔案齊全，經費使用基本合理，同意項目通過驗收。
張紅松對寧波材料所兩個項目順利通過驗收表示祝賀，并在后的總結中提出希望，希望項目組能夠充分發(fā)揮研制裝備的價值，進一步研究開發(fā)及成果轉化，發(fā)揮好中科院科研裝備研制項目的效能。
(原文標題：寧波材料所兩個院科研裝備研制項目通過驗收)
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